目前据外媒报道，三星已经完成5nm工艺的设计工作，其5LPE工艺使用的是极紫外光刻（EUV）技术，EUV技术是采用13.5nm波长的极紫外光进行光刻的技术，大大提高了光刻分辨率，提升芯片厂开发芯片的效率，
三星5LPE工艺已经认证了Cadence和Synopsys的全流程工具，仍然使用传统FinFET立体晶体管，同时使用DUV、EUV光刻技步进扫描系统，于7LPP工艺相比可以提高逻辑能效25％，同时降低20％功耗，或将性能提高10％，极大的降低生产成本。
三星的5LPE将用于三星华城的EUV工厂，生产线预计将耗资6万亿韩元，将于2019年完工，并且在2020年能够开始大批量生产其5nm工艺。
（第三媒体业界信息 2019-07-10）
