据有关消息报道，全球第一大半导体代工厂台积电已经完全取消了下一代32nm工艺，不过台积电在今年八月底就已经在全球首家成功使用28nm工艺试制了64Mb SRAM单元，并在三种不同工艺版本上实现了相同的良品率。如果这样，台积电取消32nm就是要跨过这一阶段，直接实现28nm工艺。
按照规划，台积电将在明年前三个季度分别开始试产28nm高性能高K金属栅极(28HP)、28nm低功耗高K金属栅极(28HPL)和28nm低功耗氮氧化硅(28LP)三种新工艺，这样就根本没有32nm工艺的空间了，但是根据台积电此前的说法，在32nm工艺阶段研发中取得的很多成果都会用于28nm，比如硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料。另一方面，业界客户对32nm工艺的需求并不高，但整个半导体行业对全代工艺28nm的热情却相当高涨，既有台积电，也有IBM技术联盟、东芝和NEC等，只有Intel准备独自跨越到22nm，不过那是为其处理器产品准备的。
（第三媒体 2009-11-25）
