IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET具有基准RDS(on) ,能够由微控制器或弱电池驱动,提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC转换和DC电机驱动应用。”
新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证,更具备所有标准功率封装,包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品的基本规格如下:
元件编号 |
封装 |
Bvdss (V) |
在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ) |
在25°C 下的Id (A) |
在4.5Vgs下的
典型Qg (nC) |
IRLS3034-7PPBF |
D2PAK-7 |
40 |
1.7 |
*240 |
108 |
IRLB3034PBF |
TO-220 |
40 |
2.0 |
*195 |
108 |
IRLS3034PBF |
D2PAK |
40 |
2.0 |
*195 |
108 |
IRLS3036-7PPBF |
D2PAK-7 |
60 |
2.2 |
*240 |
91 |
IRLB3036PBF |
TO-220 |
60 |
2.8 |
*195 |
91 |
IRLS3036PBF |
D2PAK |
60 |
2.8 |
*195 |
91 |
IRLS4030-7PPBF |
D2PAK-7 |
100 |
4.1 |
190 |
87 |
IRLB4030PBF |
TO-220 |
100 |
4.5 |
180 |
87 |
IRLS4030PBF |
D2PAK |
100 |
4.5 |
180 |
87 |
(新闻稿 2009-05-05)