芯片市场: 英特尔美光推出NAND闪存芯片 工艺最先进

   据5月30日国外消息报道，本周四，英特尔和美光科技公布了它们联合开发的将催生大容量廉价固态硬盘的34纳米工艺、32Gb容量的NAND闪存芯片。

   据英特尔官员称，这款闪存芯片是当前工艺最先进的NAND闪存芯片，将为在小型设备上提供廉价、大容量的固态硬盘奠定基础；新款闪存芯片的尺寸大小不及指甲盖大小、利用300毫米晶圆片制造。新款34纳米NAND闪存芯片，会使现有256GB固态硬盘的存储容量立即翻一番。 

   据介绍，基于其新NAND闪存设计的一个32Gb芯片可以存储2000张高分辨率的数字照片或1000首MP3歌曲。两家公司计划6月份交付样品芯片，批量生产会在今年下半年开始。英特尔NAND产品集团负责营销的官员彼得说，英特尔计划在未来的产品中使用新款芯片，但他没有披露详细资料。今年3月份，英特尔就证实了在2008年年中推出1.8英寸和2.5英寸固态硬盘的计划。而三星本周发布了一款256GB的固态硬盘，并计划于今年晚些时候用于笔记本电脑。

   对此，业内人士分析认为，与传统硬盘相比，尽管固态硬盘在能耗和数据读写速度方面有明显优势，但其可靠性却遭到了质疑。但随着固态硬盘的价格下滑，未来数月内固态硬盘在企业中的普及将呈加速趋势。

   （第三媒体 2008－05－31）