安森美半导体: 安森美推出PureEdge 性能时钟产生器件

   基于锁相环(PLL)的新器件生成具超低抖动的优质时钟，为PCI Express、以太网和FBDIMM应用提高时序精确度、增加设计灵活性及降低成本。

   2007年12月13日 –全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩展其PureEdgeTM高性能时钟产生产品系列，推出NB3N3002和NB3N5573这两款在同类产品中为最佳的器件。

   安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说：“当我们向2008年迈进时，我们仍将持续专注于大力拓展时序业务。我们的PureEdgeTM产品系列被证明是业内现有最佳的基于锁相环(PLL)且具有低相位噪声的时钟产生技术。随着我们进一步扩大PureEdgeTM产品阵容，我们预期将继续获得业界公认，是时钟产生市场的表表者，及时钟树的整体解决方案供应商。”

   NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)时钟产生器，生成频率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之间选择的主时钟信令等级(HCSL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟。这些器件非常适合于PCI Express、千兆位以太网(GbE)和双列直插内存模块(FBDIMM)应用。与标准的晶体振荡器和硅基竞争时钟产生器件相比，PureEdgeTM架构提供更高的设计灵活性及更低的系统成本。

   NB3N3002生成一组差动HCSL输出时钟，NB3N5573则提供双输出。这两款器件采用先进的   0.25微米(μm) CMOS技术，相位噪声性能大幅超越竞争器件，可与昂贵的表面声波(SAW)晶体振荡器相媲美。这些器件以低成本25 MHz晶体生成的高质量时钟具有四种可供选择的输出频率和集成的1:2扇出缓冲器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)载波频率偏移处，NB3N5573提供的相位噪声为130 dBc/Hz(每1赫带宽内单边带相位噪声功率与载波功率之比)。

   与安森美半导体所有的PureEdgeTM器件相似，这些新的时钟产生器为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算，并提供真正的设计灵活性。硅基时钟产生IC，如NB3N3002和NB3N5573本质上比昂贵的晶体振荡器更易于制造，故能降低总体系统成本，并大幅缩短产品上市时间。

   NB3N5573与功能相竞争的器件ICS557-03引脚兼容，能够替代这器件。在没有采用扩频功能下，NB3N5573提供更佳的抖动性能，使其在不需要同步状态信息(SSM) 下更发挥价值。

   麦满权说：“安森美半导体持续为客户提供具有最高性能、最佳质量及价格具竞争力的时序解决方案。我们公司树立了供货可靠和客户服务卓越的声誉，进一步增强了客户对我们的信心。在新的一年，我们计划推出更多的PureEdgeTM产品，针对时序产品市场严苛技术的要求和独特行业挑战。”

   封装和价格
   NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm无铅TSSOP-16封装，每2,500片的批量预算单价为1.80美元。

   关于安森美半导体（ON Semiconductor）
   安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的电源半导体器件系列，是电源、计算机、消费产品、便携/无线、汽车和工业等市场应用的工程师、采购人员、分销商、及电子代工制造商之首选电源方案供应商。

   安森美半导体和安森美半导体图标是Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站，但此稿并不包含其网站中有关的信息。

   （新闻稿 2007－12－13）