据消息报导,IBM公司在本周宣布,其通过计算机完成了“high-k”工艺的金属元素配比模拟试验。据悉新近完成的试验用计算机模拟了50种元素配比,有助于“high-k”工艺的开发。如果进展顺利,IBM使用high-k工艺的芯片产品将于08年投产。
据悉,IBM瑞士苏黎世研究实验室的专家使用4096 CPU的蓝色基因/L超级计算机完成了这一试验,为每一种配比中二氧化铪以及硅元素的600个原子的相互作用花费5天的计算时间进行了精确模拟。
“high-k”工艺是目前芯片制造技术当中的一项尖端领域,即利用更高介电常数的金属栅极取代传统的低介电常数(low-k)的二氧化硅栅极,从而大大解决漏电问题,能够使处理器芯片速度提升同时降低耗能。high-k工艺的关键就是金属元素配比问题,Intel称这中间有上百种可能。目前Intel已经宣布将在45nm的Penryn处理器中使用high-k工艺。
(第三媒体 2007-02-28)